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J-GLOBAL ID：201202219754001037   整理番号：12A1650797

薄い4H-SiC接合に基づく紫外検出器

4H-silicon carbide thin junction based ultraviolet photodetectors

著者 (10件)： BIONDO S. (Aix-Marseille Univ., IM2NP (UMR 6242), FST Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen-Case 231 ...) ,  LAZAR M. (AMPERE (UMR 5005), INSA Lyon, 20 Av. Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, FRA) ,  OTTAVIANI L. (Aix-Marseille Univ., IM2NP (UMR 6242), FST Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen-Case 231 ...) ,  VERVISCH W. (Aix-Marseille Univ., IM2NP (UMR 6242), FST Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen-Case 231 ...) ,  LE BORGNE V. (Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-EMT, 1650, Blvd. Lionel-Boulet, Varennes, Qc, Canada J3X 1S2) ,  EL KHAKANI M.a. (Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-EMT, 1650, Blvd. Lionel-Boulet, Varennes, Qc, Canada J3X 1S2) ,  DUCHAINE J. (Ion Beam Services, Rue Gaston Imbert Prolongee, 13790 Peynier, FRA) ,  MILESI F. (CEA LETI,MINATEC, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  PALAIS O. (Aix-Marseille Univ., IM2NP (UMR 6242), FST Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen-Case 231 ...) ,  PLANSON D. (AMPERE (UMR 5005), INSA Lyon, 20 Av. Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, FRA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 522  ページ： 17-19  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い接合に基づく4H-SiC紫外検出器の光応答特性を暗室内及び200~400nmの紫外線下の試験に従って調べた。シミュレーションでは薄い注入層でキャリア捕獲が増加した。従って,低エネルギー(27keV)で試料に注入した。薄い接合構造故に,280nmにおける光電流は暗電流よりも四桁強かった。光検出器のスペクトル応答性は280nmに0.03A/Wのピークを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  半導体接合 ,  *紫外検出器 ,  *応答 ,  キャリア捕獲 ,  光電流
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *スペクトル応答 ,  光応答

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 4H-SiC ,  紫外検出器