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J-GLOBAL ID：201202219761780742   整理番号：12A1019632

ac誘電泳動によるによる単層カーボンナノチューブの平行および直交E-場アラインメント

Parallel and orthogonal E-field alignment of single-walled carbon nanotubes by ac dielectrophoresis

著者 (6件)： PADMARAJ D (Univ. of Houston, TX) ,  ZAGOZDZON-WOSIK W (Univ. of Houston, TX) ,  XIE L-M (Univ. of Houston, TX) ,  HADJIEV V G (Univ. of Houston, TX) ,  CHERUKURI P (Univ. of Texas MD Anderson Cancer Center, TX) ,  WOSIK J (Univ. of Houston, TX)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 20  号： 3  ページ： 035201 (7 PP.)  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板および酸化物が17および150nmの共通の厚みを持つ金属-酸化物-半導体ナノギャップキャパシタとして作った単層カーボンナノチューブ(SWNT)に対する平面電極を設計した。このような設計によると高い電場(10⁹Vcm^-1)が生じ,基板が導電性であるために周辺の電場は曲がり,通常使われる平面電極によって生じる電場とは異なる。走査電子顕微鏡像は,SWNTが電極に平行および垂直に配列していることを示している。Ramanスペクトルマッピングによって金属的(m-SWNT)および半導体的(s-SWNT)ナノチューブの密度分布について個別の像を得た。予測されるように,m-SWNTではE-場と平行な配置が見出された。しかし,s-SWNTではでは垂直配置も見られた。このようなs-SWNTの直交配置は稀に観測されるもので,以前にはRaman像では実験的に観測されていない。ユニークな電極の設計のお陰で,m-SWNTとs-SWNTとを実質的に区別することができた。誘電泳動の力の電場因子に関する数値モデル化を行い,それは実験結果と完全に一致した。s-SWNTの直交配置は,ナノチューブの軸に対する平行および垂直の分極率が同程度の値を持つことから生じる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  電気泳動 ,  電極 ,  *MOS構造 ,  *薄膜コンデンサ ,  Ramanスペクトル ,  Raman分光法 ,  モデリング ,  走査電子顕微鏡 ,  分極率
準シソーラス用語： ac電気泳動 ,  *MOSキャパシタ ,  金属性ナノチューブ ,  数値モデリング ,  半導体性ナノチューブ ,  平面電極

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ac ,  誘電泳動 ,  単層カーボンナノチューブ ,  アラインメント