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J-GLOBAL ID：201202219813665467   整理番号：12A0651884

合成自由層についての熱的スイッチング時間の結合場への依存性に関する理論研究

Theoretical study on dependence of thermal switching time of synthetic free layer on coupling field

著者 (2件)： TANIGUCHI Tomohiro (Nanoscale Theory Group, Nanosystem Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 ...) ,  IMAMURA Hiroshi (Nanoscale Theory Group, Nanosystem Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 07C901-07C901-3  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 合成自由層についての熱的に支援されたスピントルクスイッチングを理論研究で調べた。レート方程式に基づいて,スイッチング確率,スイッチング電流および電流の標準偏差に関する理論式を得た。著者らは,スイッチング時間が結合場に比例することを示した。また,電流の標準偏差は結合場に依存しないことも示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： トルク ,  *スイッチング ,  磁化反転 ,  特性 ,  電流 ,  標準偏差 ,  *コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  ホウ素含有合金 ,  *酸化マグネシウム ,  減衰 ,  *トンネル接合 ,  レート方程式
準シソーラス用語： Gilbert減衰 ,  スピントルク ,  *磁気スイッチング ,  *磁気トンネル接合 ,  自由層

分類 (1件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自由層 ,  スイッチング時間 ,  依存性 ,  理論 ,  研究