dc電圧下のエポキシ/TiO<sub>2</sub>ナノ複合材の追跡破壊に及ぼす濃度の影響

DU B. X.; ZHANG J. W.; LIU Yong

文献

J-GLOBAL ID：201202219967890064 整理番号：12A1517784

dc電圧下のエポキシ/TiO₂ナノ複合材の追跡破壊に及ぼす濃度の影響

Effect of Concentration on Tracking Failure of Epoxy/TiO₂ Nanocomposites under dc Voltage

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A1517784&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A1517784&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0578A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 19 号： 5 ページ： 1750-1759 発行年： 2012年10月
JST資料番号： W0578A ISSN： 1070-9878 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

エポキシ/TiO₂(TO)ナノ複合材の追跡破壊へのdc抵抗に及ぼすナノTO濃度の影響を非線形解析法を使って調査した。追跡破壊へのdc抵抗,放電電流の再発プロットおよび放電分布と追跡形状のフラクタル次元を,TOの濃度と適用電圧の関係で得た。主な結論は以下であった。1)0から5wt%までの濃度で,追跡破壊への滴下数は増加傾向を示すが,5から7wt%まで減少傾向を示した。一方,ナノ複合材の侵食深さと重量損は0から5wt%まで減少するが,5から7wt%までは増加した。これは,エポキシの追跡抵抗はナノTO粒子,特に5wt%の濃度で改善できることを示した。2)適用電圧の増加で追跡破壊への滴化数は減少するが,侵食深さ,重量損そして追跡形状の面積は増加し,dc追跡破壊プロセスが電圧増加で加速することを示した。3)再発プロットは,放電電流の再発率と決定論がナノTOの影響により面放電で増え,5wt%の濃度で最大値を持つ,ことを表した。

, , , , , , , , , , , , ,
,

ゴム・プラスチック材料試験 , 性質・試験一般 , 抵抗性

, , , ,

前のページに戻る

dc電圧下のエポキシ/TiO2ナノ複合材の追跡破壊に及ぼす濃度の影響

dc電圧下のエポキシ/TiO₂ナノ複合材の追跡破壊に及ぼす濃度の影響