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J-GLOBAL ID：201202220229728790   整理番号：12A0757583

スマートヤヌス基板を通じてのウエハサイズの高品位グラフェンの自律的に制御された均一成長

Autonomously Controlled Homogenous Growth of Wafer-Sized High-Quality Graphene via a Smart Janus Substrate

著者 (7件)： WAN Dongyun (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  LIN Tianquan (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  BI Hui (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  HUANG Fuqiang (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  XIE Xiaoming (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  CHEN I.-Wei (Univ. Pennsylvania, PA, USA) ,  JIANG Mianheng (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 5  ページ： 1033-1039  発行年： 2012年03月07日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVD法を用いた金属基板上への大面積グラフェン膜の成長が行われているが,成長条件が限定され電気特性も劣るのが現状である。本研究では,大面積グラフェン膜の新たな成長法を開発した。Cを溶解しないCu上にCを固溶するNi薄膜をスパッタ堆積して基板を作製した。基板をメタン+水素+Ar混合気中,650~1000°Cで加熱することで,Ni相中にCを固溶させた。次いで,Ni層とCu層を相互拡散させてNi中のCの溶解度を下げ,表面にウエハサイズのグラフェンを析出させた。また,グラフェン膜の転写も可能である。グラフェン膜の評価を,AFM,XPS,FESEM,TEM,ラマン分光,光学吸収スペクトルおよび電気特性の評価を行った。その結果,膜厚の制御性と優れた光学および電気特性が得られた。

シソーラス用語： *炭素材 ,  超薄膜 ,  *化学蒸着 ,  基板 ,  複合膜 ,  銅 ,  ニッケル ,  蒸着膜 ,  炭素 ,  製膜 ,  溶解度 ,  *グラフェン

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウエハ ,  サイズ ,  高品位 ,  グラフェン ,  成長