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J-GLOBAL ID：201202220307627830   整理番号：12A1337165

硫黄で過飽和した珪素中の光キャリア寿命と輸送

Photocarrier lifetime and transport in silicon supersaturated with sulfur

著者 (11件)： PERSANS Peter D. (Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  BERRY Nathaniel E. (Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  RECHT Daniel (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  HUTCHINSON David (Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  PETERSON Hannah (Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  CLARK Jessica (Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  CHARNVANICHBORIKARN Supakit (Res. School of Physics and Engineering, ANU, Canberra 0200, AUS) ,  WILLIAMS James S. (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  DIFRANZO Anthony (Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  AZIZ Michael J. (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  WARRENDER Jeffrey M. (US Army - ARDEC, Benet Laboratories, Watervliet, New York 12189, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 11  ページ： 111105-111105-4  発行年： 2012年09月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入とパルスレーザ融解により平衡から遥か上の濃度まで硫黄をドープしたシリコン・オン・インシュレータ(SOI)層は大きな濃度勾配をもたらし得る。不純物勾配中及び付近で発生した光キャリアは異なる共平面輸送層に分離でき,薄いSOI膜中の光キャリア寿命を延ばす。大量ドープ領域から正孔が逃れる深さは,大量硫黄ドープ珪素に対する少数キャリア移動度-寿命積10^-8cm²/Vの下限を設定する。この濃度のS不純物を通した再結合の断面積は孤立不純物に比べて有意に低下すると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *キャリア寿命 ,  輸送現象 ,  *SOI構造 ,  濃度勾配 ,  *不純物 ,  少数キャリア ,  キャリア移動度 ,  過飽和 ,  硫黄 ,  量子効率
準シソーラス用語： キャリア輸送

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫黄 ,  過飽和 ,  珪素 ,  光キャリア ,  寿命 ,  輸送