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J-GLOBAL ID：201202220431939514   整理番号：12A1743436

リチウムドープZnOにおける室温強磁性

Room Temperature Ferromagnetism in Lithium-Doped ZnO

著者 (6件)： RAN C. J. (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  XU X. G. (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  YANG H. L. (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  WANG Y. K. (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  MIAO J. (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  JIANG Y. (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 48  号： 11  ページ： 3422-3425  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾルゲル法によって作製したリチウムドープZnO膜について検討した。この膜は多結晶ウルツ鉱型構造をしており,平均粒度は約50nmである。すべての膜は強磁性体であり,8at.%のLi量の膜が約55memu/gの最大飽和磁化を有している。フォトルミネセンススペクトルによって,この膜が紫外領域近くで弱い放射をし,可視領域で強い放射をすることを示した。第一原理計算によって,LiドープZnOにおける強磁性はLi-Zn空孔対に最近傍サイトにおける酸素原子の誘導磁気モーメントに起因することを示した。

シソーラス用語： *強磁性 ,  酸化亜鉛 ,  リチウム ,  ドーピング ,  ゾル-ゲル法 ,  *磁性半導体 ,  計算 ,  スペクトル ,  *磁性薄膜 ,  状態密度 ,  磁気モーメント ,  原子 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *透明導電膜
準シソーラス用語： ZnO ,  *ZnO薄膜 ,  ウルツ鉱型構造 ,  フォトルミネセンススペクトル ,  *希釈磁性半導体 ,  *強磁性薄膜 ,  酸素原子 ,  *室温強磁性 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： リチウム ,  ドープ ,  ZnO ,  室温強磁性