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J-GLOBAL ID：201202220454477518   整理番号：12A0539812

(Al_yGa_1-yN/AlN)SL/GaN/(In_xGa_1-xN)/GaN)MQW/GaNヘテロ構造におけるキャリア閉込め特性の自己無撞着シミュレーション

Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (Al _y Ga_1-y N/AlN)SLs/GaN/(In _x Ga_1-x N/GaN)MQW/GaN heterostructures

著者 (16件)： DING Jieqin (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, CHN) ,  WANG Xiaoliang (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, CHN) ,  WANG Xiaoliang (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  WANG Xiaoliang (ISCAS-XJTU Joint Lab. of Functional Materials and Devices for Informatics, CHN) ,  XIAO Hongling (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, CHN) ,  XIAO Hongling (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  WANG Cuimei (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, CHN) ,  WANG Cuimei (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  YIN Haibo (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, CHN) ,  YIN Haibo (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  CHEN Hong (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, CHN) ,  CHEN Hong (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  FENG Chun (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, CHN) ,  FENG Chun (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  JIANG Lijuan (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, CHN) ,  JIANG Lijuan (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 523  ページ： 88-93  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自発分極効果及び圧電誘起分極効果の存在下での,(Al_yGa_1-yN/AlN)SLs/GaN/(In_xGa_1-xN)/GaN)MQW/GaNヘテロ接合構造におけるキャリア閉込め特性の計算について提示した。Schroedinger,Poisson,ポテンシャル及び電荷平衡の方程式の自己無撞着解を用いて計算を行った。キャリア密度と移動度を増加させるためにGaNチャンネル,InGaNの厚さ及びIn_xGa_1-xNのインジウム組成を含めて,In_xGa_1-x/GaN多重量子井戸(MQW)の最適化を最初に行い,そして構造に及ぼすAlGaN/AlN超格子(SL)とInGaN/GaNMQWのペアの影響について議論した。理論的計算から,設計したヘテロ構造における2次元電子ガス(2DEG)のシートキャリア密度は,同じAl組成での通常のAlGaN/GaNに比べキャリア閉じ込めが増強されたことにより,非常に増大することが明確に示された。さらに,計算したキャリア分布から,設計したヘテロ構造において界面粗さと合金無秩序散乱を低減することによりキャリア移動度が向上することが示された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化アルミニウム ,  *単一層 ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *多重量子井戸 ,  *素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  Schroedinger方程式 ,  Poisson方程式 ,  閉込め ,  キャリア ,  二次元電子ガス ,  キャリア密度 ,  分布 ,  表面粗さ ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： キャリア分布 ,  キャリア閉込め ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *窒化インジウムガリウム ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlN ,  SL ,  GaN ,  MQW ,  ヘテロ構造 ,  キャリア閉込め ,  自己 ,  無撞着 ,  シミュレーション