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J-GLOBAL ID：201202220486708775   整理番号：12A0057613

太陽電池応用のためRFスパッタリングによるZnドープCu(In,Ga)Se₂薄膜の成長

Growth of Zn doped Cu(In,Ga)Se₂ thin films by RF sputtering for solar cell applications

著者 (7件)： LI Z.q. (Engineering Res. Center for Nanophotonics and Advanced Instrument, Ministry of Education, Dep. of Physics, East ...) ,  LIU Q.q. (Engineering Res. Center for Nanophotonics and Advanced Instrument, Ministry of Education, Dep. of Physics, East ...) ,  LI J.j. (Engineering Res. Center for Nanophotonics and Advanced Instrument, Ministry of Education, Dep. of Physics, East ...) ,  SUN Z. (Engineering Res. Center for Nanophotonics and Advanced Instrument, Ministry of Education, Dep. of Physics, East ...) ,  CHEN Y.w. (Engineering Res. Center for Nanophotonics and Advanced Instrument, Ministry of Education, Dep. of Physics, East ...) ,  YANG Z. (Res. Inst. for Micro/Nanometer Sci. and Technol., Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai 200240, CHN) ,  HUANG S.m. (Engineering Res. Center for Nanophotonics and Advanced Instrument, Ministry of Education, Dep. of Physics, East ...)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 68  ページ： 80-84  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)表面を,マグネトロンスパッタリング法を用いて,Znドープにより修正した。Zn含有量を0から0.8at%増加してCuIn_0.7Ga_0.3Se₂ストイキオメトリをターゲットにしたCuINGa:Znプリカーサ膜をCu-Ga合金,InおよびZnターゲットの共同スパッタリングにてMo被覆ガラス基板上に作成した。そして,CuINGa:Znプリカーサは,固体Seペレットによりセレン化された。成長したZnドープCIGS膜の構造と形態が,Zn含有量に依存することを明らかにした。0.2から0.6at%間のZnドープレベルレンジにて,Znドープは,CIGS膜の結晶度と表面形態を改善した。非ドープCIGSセルの性能と比較して,作成したCIGS太陽電池は,9-22%の相対効率強化および最大強化は,0.4at%のZn含有量で得られた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *RFスパッタリング ,  *薄膜 ,  *亜鉛 ,  ドーピング ,  マグネトロンスパッタリング ,  含有量 ,  化学量論 ,  プリカーサ ,  ターゲット ,  スパッタリング ,  結晶度 ,  形態 ,  セレン
準シソーラス用語： Se ,  *Zn ,  ストイキオメトリ ,  ドープ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 太陽電池 ,  応用 ,  RFスパッタリング ,  Zn ,  ドープ ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  成長