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J-GLOBAL ID：201202220612203196   整理番号：12A0906117

放電プラズマ焼結無添加多結晶β-SiCの高温圧縮クリープ

High-temperature compressive creep of spark-plasma sintered additive-free polycrystalline β-SiC

著者 (4件)： LARA A. (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Facultad de Fisica, Universidad de Sevilla, Apartado 1065, 41012 ...) ,  MUNOZ A. (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Facultad de Fisica, Universidad de Sevilla, Apartado 1065, 41012 ...) ,  CASTILLO-RODRIGUEZ M. (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Facultad de Fisica, Universidad de Sevilla, Apartado 1065, 41012 ...) ,  DOMINGUEZ-RODRIGUEZ A. (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Facultad de Fisica, Universidad de Sevilla, Apartado 1065, 41012 ...)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 32  号： 12  ページ： 3445-3451  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放電プラズマ焼結(SPS)法によって焼結した無添加ナノサイズβ-SiCの高温機械的挙動を検討した。試料の平均粒径は0.58μmで相対密度は97.4%であった。これらは1750~1850°Cの温度と200~500MPaの応力下で定荷重圧縮(クリープ)試験により変形した。歪速度は試験条件により1×10^-7s^-1から1×10^-6s^-1の範囲である。変形機構を特徴付ける活性化エネルギーQと応力指数nのパラメータを評価した。全温度範囲で得られた活性化エネルギーQの値は540kJmol^-1,応力指数nの値は,T=1750°Cで1.2~1.3,T=1800°Cで2.6であった。これらのパラメータの値は,変形した試料の顕微鏡観察の結果と共に,同時に作用する2つの機構,(i)粒界に沿ってSiの拡散により対応する粒界滑り(GBS),および(ii)転位滑りと上昇(指数則クリープ(PLC))が存在することを示唆した。後者の機構の寄与は温度とともに増加した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *高温クリープ ,  放電焼結 ,  粒径 ,  相対密度 ,  圧縮応力 ,  歪速度 ,  活性化エネルギー ,  応力指数 ,  粒界滑り ,  転位【結晶】 ,  上昇 ,  機構 ,  放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： 転位上昇 ,  変形機構

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放電プラズマ焼結 ,  多結晶 ,  SiC ,  圧縮クリープ