文献

J-GLOBAL ID：201202220794772824   整理番号：12A0670018

シリコン薄膜のエキシマレーザ誘起結晶化での結晶粒選択方位の起源

Origin of preferential grain orientation in excimer laser-induced crystallization of silicon thin films

著者 (4件)： WEIZMAN M. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. Silicon Photovotaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU) ,  KLIMM C. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. Silicon Photovotaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU) ,  NICKEL N. H. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. Silicon Photovotaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU) ,  RECH B. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. Silicon Photovotaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 16  ページ： 161906-161906-3  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スーパーラテラル成長結晶化方式でのエキシマレーザ多重ショットで作製した多結晶シリコン薄膜の{100}と{111}結晶粒テクスチャ形成の起源を調べた。結果は,形成されたテクスチャのタイプはシリコン層の厚みのみで決定されることを示していた。40nmの臨界層厚の値において,層厚の増加につれて,{100}から{111}テクスチャへの転移を観測した。その結果,臨界値以上では固化過程の動力学が支配的であるが,臨界値以下において,テクスチャ形成は表面エネルギー異方性に支配されていることを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  半導体薄膜 ,  結晶成長 ,  結晶化 ,  エキシマレーザ ,  レーザ照射 ,  *結晶粒 ,  優先配向 ,  結晶方位 ,  層厚 ,  凝固 ,  表面エネルギー ,  基板
準シソーラス用語： スーパーラテラル成長

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン薄膜 ,  エキシマレーザ ,  誘起 ,  結晶化 ,  結晶粒 ,  選択方位 ,  起源