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J-GLOBAL ID：201202220941590796   整理番号：12A0730222

環境対応型半導体高性能化のためのフォトルミネセンス顕微鏡開発に関する研究

著者 (1件)： 小椋厚志 (明治大 科技研)
資料名： 明治大学科学技術研究所年報  (Annual Report of the Institute of Science and Technology, Meiji University)
号： 52  ページ： 23-24  発行年： 2012年03月21日 
JST資料番号： F0841A  ISSN： 0543-3916  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フォトルミネセンス(PL)顕微鏡を開発し,太陽電池用多結晶シリコン基板の評価とタイリング測定の確認を行った。同一のインゴットの異なる位置から切り出した基板をPLイメージング測定した。前処理として表面酸化膜除去及びパッシベーションを行い,光源として水銀キセノンランプを用い,入射(励起)光側に370~750nm,フォトルミネセンス検出側に840nm以上または930nm以上のフィルタを用い,イメージングした。結果によれば同一成長条件であっても,切り出し位置により顕著な差を見出し,蛍光寿命の結果と良い相関を示した。タイリング測定では基板縁の欠陥の同定には至らなかったが,基板間の相違を単一のイメージングにより確認した。

シソーラス用語： *顕微鏡 ,  太陽電池 ,  *ポリシリコン ,  インゴット ,  位置 ,  蛍光寿命 ,  面積 ,  基板 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： *フォトルミネセンス顕微鏡 ,  *多結晶シリコン ,  大面積化

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 環境対応 ,  高性能化 ,  フォトルミネセンス ,  顕微鏡 ,  開発 ,  研究