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J-GLOBAL ID：201202221002585026   整理番号：12A0868502

CVD単結晶ダイヤモンドの高速ホモエピタキシャル成長に及ぼすN₂Oの効果

Effect of N₂O on high-rate homoepitaxial growth of CVD single crystal diamonds

著者 (9件)： SU Y. (State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ., Changchun 130012, CHN) ,  LI H.d. (State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ., Changchun 130012, CHN) ,  CHENG S.h. (State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ., Changchun 130012, CHN) ,  ZHANG Q. (State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ., Changchun 130012, CHN) ,  WANG Q.l. (State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ., Changchun 130012, CHN) ,  LV X.y. (State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ., Changchun 130012, CHN) ,  ZOU G.t. (State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ., Changchun 130012, CHN) ,  PEI X.q. (Lanzhou Inst. of Physics, CAST, Lanzhou 730000, CHN) ,  XIE J.g. (Lanzhou Inst. of Physics, CAST, Lanzhou 730000, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 351  号： 1  ページ： 51-55  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 各種ガス,例えば,N₂,O₂およびCO₂は,典型的な反応雰囲気CH₄/H₂中に導入され,化学蒸着(CVD)単結晶ダイヤモンド(SCD)の成長を改善するのに提案されている。本論文では,ホモエピタクシー(100)CVD SCDの成長速度,形態および光学的特性に及ぼす新しい添加ガス酸化二窒素(N₂O)の影響を研究した。反応圧力(H₂/CH₄流量)を,300Torr(750/90sccm)で固定したが,N₂Oを0,2,5,8および10sccmの流量で変化させて少量添加した。適切なN₂O添加に伴って,成長速度は最大135μm/hまで増加し,表面粗さは約2nmに減少した。さらに,大きな逆ピラミッド型ピットがCH₄/H₂環境で合成した生成物上面に一般的に出現するが,N₂O添加は,このピットがSCD上に発生するのを抑制するのに有効であった。CVD SCDの成長と特性に及ぼすN₂Oから分解した窒素,酸素に関連したラジカルの複合効果を議論した。結果として,N₂Oの添加は,従来の窒素の代わりに,高速成長CVD SCDを実現するための新しい経路を提供すると結論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単結晶 ,  *ダイヤモンド ,  ホモエピタクシー ,  *化学蒸着 ,  水素 ,  混合気体 ,  添加物効果 ,  酸化二窒素 ,  成長速度 ,  表面粗さ ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  アルカン
準シソーラス用語： 結晶成長速度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  単結晶ダイヤモンド ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  N2O