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J-GLOBAL ID：201202221133376198   整理番号：12A0111498

Cuナノワイヤにおける電荷担体輸送に対するガンマ線照射の影響

Effect of gamma irradiation on transport of charge carriers in Cu nanowires

著者 (4件)： GEHLAWAT Devender (National Inst. of Technol., Dep. of Physics, 136119, Kurukshetra, IND) ,  CHAUHAN R. P. (National Inst. of Technol., Dep. of Physics, 136119, Kurukshetra, IND) ,  SONKAWADE R. G. (Babasaheb Bhimrao Ambedkar Univ., School of Physical Sciences, 226025, Lucknow, IND) ,  CHAKARVARTI S. K. (Manav Rachna International University/MRCE, Faridabad, IND)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 106  号： 1  ページ： 157-164  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トラックエッチド膜を用いた電着法によって作成した100nm Cuナノワイヤの電気伝導度に対するガンマ線光子照射の影響について報告した。光子フルエンスを変えて影響を観測し,照射後,印加ポテンシャル増加とともに電気伝導度が線形に増加する事を見いだした。しかし伝導度の増加率は照射フルエンスを変えると変化した。I-V特性(IVC)は,照射前にはOhm則に従っていたが,照射後は粒間散乱が重要になり放物線的になった。ナノワイヤを通した輸送中の電荷担体数の増加または減少は二つの競合的な過程の結果である。すなわち電荷担体(電子)の粒界による鏡面散乱及び拡散散乱で,粒界域自体,粒間域に比べて高抵抗である。照射ナノワイヤに対する修正を少し加えたMayadasとShatzkes(MS)モデルによって結果を議論した。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *電気伝導率 ,  *γ線照射 ,  *銅 ,  電流電圧特性 ,  電着 ,  キャリア ,  結晶粒界 ,  結晶粒 ,  放射線フルエンス ,  キャリア散乱 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 電荷キャリア

分類 (2件)： ガンマ線との相互作用  (BK16020W) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  ナノワイヤ ,  電荷担体 ,  輸送 ,  ガンマ線照射