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J-GLOBAL ID：201202221138197135   整理番号：12A0269334

LaAlO₃-SrTiO₃界面を利用した電界効果

Field-effect devices utilizing LaAlO₃-SrTiO₃ interfaces

著者 (3件)： FOERG B. (Center for Electronic Correlations and Magnetism, Univ. of Augsburg, 86135 Augsburg, DEU) ,  RICHTER C. (Center for Electronic Correlations and Magnetism, Univ. of Augsburg, 86135 Augsburg, DEU) ,  MANNHART J. (Max Planck Inst. for Solid State Res., Heisenbergstrasse 1, 70569 Stuttgart, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 5  ページ： 053506  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LaAlO₃-SrTiO₃二層を用いて,二層のn型界面において生成される二次元電子液体をドレイン-ソースチャネルとして,そして,LaAlO₃層をゲート誘電体として利用する電界効果素子を作製した。1Vより十分低いゲート電圧に関して,素子を電圧利得及び電流利得によりキャラクタライズした。素子は,100°Cまでの温度において動作した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  半導体素子 ,  アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  酸化膜 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *界面 ,  液体 ,  チャネル ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *電界効果素子 ,  *アルミン酸ランタン ,  ゲート誘電体 ,  *二次元電子液体 ,  電圧利得 ,  電流利得

分類 (4件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： LaAlO3 ,  界面 ,  電界効果