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J-GLOBAL ID:201202221152711240   整理番号:12A0669618

SiO2系界面反応の熱力学/反応動力学パラメータの量子化学法による予測

PREDICTION OF THERMODYNAMIC AND KINETIC PARAMETERS FOR INTERFACIAL REACTIONS OF THE SIO2 SYSTEM BY QUANTUM CHEMISTRY METHODS
著者 (3件):
資料名:
巻: 10  号: 1-4  ページ: 285-312  発行年: 2012年01月 
JST資料番号: W1401A  ISSN: 1539-445X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,火炎合成によるSiH4からの気相合成においてSiO2生成/成長を説明する機構開発に向け新たな反応経路開発を最終目標に,異なる計算法を用いSiH4/SiO2系の大きな種集合の熱力学データ決定と新反応経路の反応速度決定を検討した。量子化学法支援でSiO2系の表面との弱い相互作用反応に加え,気固化学反応を分析した。対反応の熱力学特性の事前計算や,複雑な反応過程で前駆体と表面で生じる遷移状態生成物の決定が要る。分子モデルや分子クラスタが固体粒子表面を示す。密度汎関数理論(DFT)精度を検証後,ab initio計算とDFT計算を利用し,一連の安定分子,ラジカルのエンタルピーΔfH0298と遷移状態構造を計算した。エンタルピー値精度改善で,両計算をイソデミック反応解析と可能な限り組合せた。DFT計算結果を用い,エントロピーΔS0∫298と熱容量Cp∫298(T)を計算した。温度範囲500~1800K,圧力範囲0.001~300atmで新反応経路の反応動力学パラメータも推定した。
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分類 (5件):
分類
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有機けい素化合物  ,  酸化,還元  ,  分子の電子構造  ,  化合物の化学熱力学(混合系)  ,  反応速度論・触媒一般 

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