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J-GLOBAL ID：201202221193234244   整理番号：12A1514820

高静電容量密度とキャンセル効果を用いた低二次電圧係数を有するMIMコンデンサのための絶縁体としてのZrLaO_x/ZrTiO_x/ZrLaO_x積層板

ZrLaO_x/ZrTiO_x/ZrLaO_x Laminate as Insulator for MIM Capacitors With High Capacitance Density and Low Quadratic Voltage Coefficient Using Canceling Effect

著者 (5件)： CHEN Lun Lun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Yung-Hsien (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Yu-Bo (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Chia-Chun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Min-Lin (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 10  ページ： 1447-1449  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体としてZrLaO_x/ZrTiO_x/ZrLaO_x積層板を有する金属/絶縁体/金属(MIM)コンデンサについて検討した。単層ZrTiO_x誘電体は,22.5の高いκ値を有する静電容量の負2次電圧係数(VCC-α)を有することが分かった。この誘電体に正のVCC-αを有するZrLaO_xを集積することにより,高い容量密度を保ったまま25.8の高いκ値とVCC-αのキャンセル効果が得られる。測定周波数への依存性が無視できる14.6fF/μm²の容量密度,33pm/V²の低いVCC-αおよび許容できる漏れ電流も得られた。この結果は2020年ITRSの要求セットを満足し,ZrLaO_x/ZrTiO_x/ZrLaO_x積層板は次世代高性能MIMコンデンサに採用される大きな可能性を保った。

シソーラス用語： 積層板 ,  *薄膜コンデンサ ,  *静電容量 ,  *絶縁材料 ,  漏れ電流 ,  誘電体 ,  周波数依存性 ,  解除 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： *MIMコンデンサ ,  キャンセレーション

分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 静電容量 ,  密度 ,  キャンセル ,  圧係数 ,  MIMコンデンサ ,  絶縁体 ,  積層板