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J-GLOBAL ID：201202221250621748   整理番号：12A1006281

n-ZnO/p-SiCヘテロ接合ダイオードの製造と分析

Fabrication and Characterization of n-ZnO/p-SiC Heterojunction Diode

著者 (10件)： GUZIEWICZ M. (Inst. Electron Technol., Warsaw, POL) ,  JUNG W. (Inst. Electron Technol., Warsaw, POL) ,  KRUSZKA R. (Inst. Electron Technol., Warsaw, POL) ,  DOMAGALA J. (Inst. Electron Technol., Warsaw, POL) ,  DOMAGALA J. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  PIOTROWSKA A. (Inst. Electron Technol., Warsaw, POL) ,  GOLASZEWSKA K. (Inst. Electron Technol., Warsaw, POL) ,  WACHNICKI L. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GUZIEWICZ E. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GODLEWSKI M. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.2  ページ： 1323-1326  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  SiC ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  分析