文献

J-GLOBAL ID：201202221338525048   整理番号：12A1167166

Inドープしたβ-Zn₄Sb₃の結晶構造と結合特性

Crystal structure and bonding characteristics of In-doped β-Zn₄Sb₃

著者 (7件)： TANG Dingguo (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN) ,  TANG Dingguo (Key Lab. of Catalysis and Materials Sci. of the State Ethnic Affair Commission & Ministry of Education ...) ,  ZHAO Wenyu (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN) ,  CHENG Sudan (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN) ,  WEI Ping (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN) ,  YU Jian (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN) ,  ZHANG Qingjie (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 193  ページ： 89-93  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Inドープしたβ-Zn₄Sb₃の結晶構造と結合特性に及ぼすインジウム不純物の影響を,粉末X線回折(XRD)及びX線光電子分光法(XPS)により調査した。インジウム不純物が,12c Sb(2)サイトでSb-Sb二量体中のSb原子の1つを優先的に置換し,同時にZn占有の増加をもたらすことを,XRD Rietveld解析は示した。Sbの3dコアレベルXPSスペクトルにおける結合エネルギーシフトと新価電子状態の観察は,InとZnからSbへの電荷移動に起因している。その結果,より多くの電気陽性Zn原子が,電荷バランスを維持するために必要である。格子の熱伝導率の減少は,非対称Sb-In結合の形成に起因し,Zn₄Sb_2.96In_0.04の0.49W^-1K^-1の非常に低い格子の熱伝導率をもたらす。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンチモン化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *結晶構造 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  Rietveld法 ,  結合エネルギー ,  価電子 ,  電荷移動 ,  熱伝導率
準シソーラス用語： Rietveld解析 ,  *アンチモン化亜鉛 ,  粉末X線回折

分類 (1件)： 金属の結晶構造  (BK06000V)

タイトルに関連する用語 (2件)： ドープ ,  結晶構造