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J-GLOBAL ID：201202221341081754   整理番号：12A0955513

GaNナノピラー上のコアシェルInGaN/GaN多重量子井戸の作製と発光特性

Fabrication and luminescent properties of core-shell InGaN/GaN multiple quantum wells on GaN nanopillars

著者 (8件)： CHANG J.-r. (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Rd., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHANG S.-p. (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Rd., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LI Y.-j. (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Rd., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHENG Y.-j. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Rd., Hsinchu ...) ,  SOU K.-p. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Rd., Hsinchu ...) ,  HUANG J.-k. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Rd., Hsinchu ...) ,  KUO H.-c. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Rd., Hsinchu ...) ,  CHANG C.-y. (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Rd., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 26  ページ： 261103-261103-4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNナノピラー上にコアシェルInGaN/GaN多重量子井戸をトップダウンエッチングとそれに続くエピタキシャル再成長により作製した。再成長は六角形側壁と角錐をナノピラー上に形成した。ピラー側壁と角錐ファセット上で位置が上から下へ移動すると,多重量子井戸の陰極線ルミネセンスが青方偏移し,約100nmのスペクトル線幅を網羅した。ピラー側壁上の多重量子井戸は角錐ファセット上よりもInN比率が高かった。光ルミネセンス波長は二桁のキャリア密度変化にわたり安定で,これはナノピラーファセット上の小さな量子閉込めStark効果に起因した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  ナノ構造 ,  柱 ,  *多重量子井戸 ,  *光ルミネセンス ,  陰極線ルミネセンス ,  エピタクシー ,  青方偏移 ,  窒化インジウム ,  Stark効果 ,  構造 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： ナノピラー ,  量子閉込めStark効果

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  ナノピラー ,  コアシェル ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  作製 ,  発光特性