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J-GLOBAL ID：201202221464148110   整理番号：12A0902830

熱化学および原子価変化機構に基づく金属酸化物メモリ

Metal oxide memories based on thermochemical and valence change mechanisms

著者 (4件)： YANG J. Joshua (Hewlett Packard Lab.) ,  INOUE Isao H. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.) ,  MIKOLAJICK Thomas (NaMLab gGmbH) ,  HWANG Cheol Seong (Seoul National Univ.)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 37  号： 2  ページ： 131-137  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日生産されている不揮発性メモリは,メモリ機構として主に電荷蓄積を基本としている。ニッチ市場においては,強誘電体型ランダムアクセスメモリ(RAM),磁気抵抗型RAMおよび相変化型RAMなどがある。しかし,これらのメモリ素子はいずれも,確立されているメモリ技術において可成り大きいメモリセルサイズを必要とする。原理的に,電圧あるいは電流で制御できる抵抗値(RSと記述される抵抗スイッチング)の活用は,セルサイズの拡張可能性の観点からは,伝統的な電荷蓄積の概念よりも適用し易いと考えられる。ここでは,熱化学および原子価変化機構に基づく金属酸化物メモリにおけるRS特性の理解,およびそれらを利用した素子の性能の改善について報告する。様々なRS特性を持つ金属酸化物は,スイッチングの機構と特性によって分類される。それぞれのカテゴリーに従って,幾つかの代表的な材料を選択し,それらの特性を議論する。更に,素子の性能を決定するに際して重要な役割を果たす素子構造のような他の因子についても議論する。実際の回路に応用する場合には,RSに関するバイアスの極性,電流-電圧関係,信頼性およびスケーリング問題などを含む素子特性を考慮する必要がある。多くの金属酸化物における不揮発性のRSは,基本的には局在伝導チャネルに関係し,電流経路構造の性質と動的変化の理解が非常に重要なので,ここで詳細に議論する。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *金属酸化物 ,  化学 ,  *相転移 ,  *スイッチング ,  長さ ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： サイズ ,  *原子価転移 ,  *抵抗スイッチング ,  熱化学

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱化学 ,  原子価 ,  金属酸化物