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J-GLOBAL ID：201202221508321957   整理番号：12A0925341

テルルナノワイヤーの形状制御した蒸気輸送成長

Shape-Controlled Vapor-Transport Growth of Tellurium Nanowires

著者 (4件)： HAWLEY Christopher J. (Drexel Univ., Pennsylvania, USA) ,  BEATTY Brian R. (Drexel Univ., Pennsylvania, USA) ,  CHEN Guannan (Drexel Univ., Pennsylvania, USA) ,  SPANIER Jonathan E. (Drexel Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 6  ページ： 2789-2793  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 析出時間と蒸気温度によって直径と長さを制御して,TeナノワイヤーをSiO₂基板上に蒸気-固体成長させた。基板上に核生成したTeナノワイヤーの結晶はその後成長して2D網目構造になった。このような結晶成長機構は過飽和と昇華源温度,基板温度,および成長時間による表面動力学によるナノワイヤーの形態制御から成り立っている。蒸気輸送法によって成長したこれらのナノワイヤーの構造を走査型と高分解能透過型電子顕微鏡(SEMとHR-TEM)およびX線回折(XRD)によって解析した結果,高純度の単結晶で150~280°Cの温度範囲で基板のSiO₂表面にそって優先的に成長することがわかった。直径は50~3000nm,長さは1~22μmで調節できる。これらのTeナノワイヤーの形態制御と構造は特定サイズに依存した特性をもつナノ素子の作成に役立つであろう。

シソーラス用語： 基板 ,  *テルル ,  *ナノワイヤ ,  *気相成長 ,  化学輸送 ,  核形成 ,  ネットワーク構造 ,  *結晶形態 ,  飽和度 ,  昇華 ,  温度依存性 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  純度 ,  単結晶 ,  直径 ,  長さ ,  制限視野回折 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  過飽和度 ,  高純度

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： テルル ,  ナノワイヤー ,  形状制御 ,  蒸気 ,  輸送 ,  成長