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J-GLOBAL ID：201202221509118470   整理番号：12A1743338

STT-RAMの微細化に対する信頼性の見地からの見通し

The Prospect of STT-RAM Scaling From Readability Perspective

著者 (3件)： ZHANG Yaojun (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  WEN Wujie (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  CHEN Yiran (Univ. Pittsburgh, PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 48  号： 11  ページ： 3035-3038  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Spin Transfer Torque Random Access Memory(STT-RAM)は,高速アクセス,高い記録密度,不揮発性,CMOSコンパチビリティの高さなどの利点を持ち,次世代計算機のメモリに対する有力候補と考えられており,磁気トンネル接合(MJT)のスイッチング電流の低減に対す研究が多数紹介されているが,スイッチング電流を低減した場合,微細化に伴う読出し安定性の問題が生じてくる。本文では,現在のスケーリング則がSTT-RAMの読出し信頼性に及ぼす影響について,読出しノイズと検出誤差を考慮した定量解析の結果を示した。また,スイッチング電流を低減した場合にも読出し性を維持するためには,読込み電流の最適化が重要となることを明らかにした。

シソーラス用語： *トルク ,  *RAM【メモリ】 ,  小型化 ,  信頼性解析 ,  トンネル接合 ,  *電流 ,  データ処理 ,  安定性解析
準シソーラス用語： *スピントランスファトルク ,  磁気トンネル接合 ,  *スイッチング電流

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： RAM ,  微細化 ,  見通し