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J-GLOBAL ID：201202221518998173   整理番号：12A0562927

パルスレーザ蒸着により成長させたInGaZnO薄膜

InGaZnO thin films grown by pulsed laser deposition

著者 (3件)： CHEN Jiangbo (Coll. of Applied Sciences, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  WANG Li (Coll. of Applied Sciences, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  SU Xueqiong (Coll. of Applied Sciences, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 9  ページ： 1313-1317  発行年： 2012年03月14日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaZnO(IGZO)セラミックターゲット(原子比でIn:Ga:Zn=1:1:4)を,大気圧雰囲気中における固相反応を用いて作製し,室温で石英ガラス上に,いろいろな酸素分圧の下でパルスレーザ蒸着法を用いてIZGO薄膜を堆積させた。結晶構造,表面形態,光学的および電気的特性への酸素圧力の影響を調べた。室温で堆積された全膜が非晶質構造であることが見出された。他方,透明度,電子移動度および自由電子濃度のような膜の物理特性は,堆積中の酸素圧力,そしてそれにより膜中に引き起こされた酸素欠陥或いは金属格子間原子に関係することが見出された。膜のX線光電子分光(XPS)分析は,In,Ga及びZnの金属3d状態が無く,酸素欠陥が膜の物理特性に影響する主な欠陥であることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  *レーザ蒸着 ,  空格子点 ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *光学定数 ,  *キャリア移動度 ,  *非晶質半導体 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 酸素空格子点

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G)

タイトルに関連する用語 (2件)： パルスレーザ蒸着 ,  成長