文献

J-GLOBAL ID：201202221586135680   整理番号：12A1510259

グラフェン成長の端部での平衡と原子論的機構

Equilibrium at the edge and atomistic mechanisms of graphene growth

著者 (3件)： ARTYUKHOV Vasilii I. (Rice Univ., TX) ,  LIU Yuanyue (Rice Univ., TX) ,  YAKOBSON Boris I. (Rice Univ., TX)
資料名： Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America  (Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America)
巻： 109  号： 38  ページ： 15136-15140  発行年： 2012年09月18日 
JST資料番号： D0387A  ISSN： 0027-8424  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年グラフェンを金属材料上に生成させる簡単で廉価な方法が開発されているにも関わらず,生成された材料の性質や形態に関する理解はまだ不十分である。グラフェン成長の十分な理論もなく,炭素成長を支配する原子論的機構の理解は科学的に重要な課題である。ここでは詳細な第一原理計算によって増強されたステップ流結晶成長の概念から引き出したナノリアクタによる総括的描像を提示した。ニッケル上で成長したグラフェンの場合を例に挙げ,炭素原子は,まず原料からニッケル触媒に移動し,最後に生成物のグラフェンに,占有するエネルギー準位に従って次々に移動することを示した。成長中の自由エネルギー発生,密度汎関数理論から計算した異なる金属上での成長速度の異方性なども図示した。複雑な平衡状態および平衡状態の場合の端部の構造,エネルギー,形態などを検討した。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *結晶成長 ,  *端部 ,  炭素 ,  *相平衡 ,  物質移動 ,  マイクロリアクタ ,  結晶形態 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ナノリアクタ ,  原子移動

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  一成分系の相平衡・状態図  (CB03013K) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  成長 ,  平衡