文献

J-GLOBAL ID：201202221641295721   整理番号：12A0185843

窒化ハフニウムと窒化ニオブの電界エミッタアレイ間の電界放出特性の比較

Comparison of Field Emission Properties between Hafnium Nitride and Niobium Nitride Field Emitter Arrays

著者 (3件)： GOTOH Yasuhito (Kyoto Univ. Kyoto, JPN) ,  IKEDA Keita (Kyoto Univ. Kyoto, JPN) ,  TSUJI Hiroshi (Kyoto Univ. Kyoto, JPN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops  (Proceedings of the International Display Workshops)
巻： 18th  号： Vol.3  ページ： 1791-1794  発行年： 2011年 
JST資料番号： L4269A  ISSN： 1883-2490  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ハフニウム化合物 ,  ニオブ化合物 ,  アレイ ,  *電界放出 ,  電子放出 ,  *ニオブ ,  安定性 ,  窒化ニオブ ,  *窒化ハフニウム
準シソーラス用語： トライオード ,  *電界エミッタアレイ ,  電界電子放出

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化ハフニウム ,  窒化ニオブ ,  電界エミッタアレイ ,  電界放出