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J-GLOBAL ID：201202221826562289   整理番号：12A0861366

CsBi₄Te₆中のSbおよびSe置換:半導体CsM₄Q₆(M=Bi,Sb;Q=Te,Se),Cs₂Bi₁₀Q₁₅およびCsBi₅Q₈

Sb and Se Substitution in CsBi₄Te₆: The Semiconductors CsM₄Q₆ (M = Bi, Sb; Q = Te, Se), Cs₂Bi₁₀Q₁₅, and CsBi₅Q₈

著者 (4件)： CHUNG Duck Young (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  UHER Ctirad (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  KANATZIDIS Mercouri G. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  KANATZIDIS Mercouri G. (Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 10  ページ： 1854-1863  発行年： 2012年05月22日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能な熱電素子材料を開発することを目的として,CsBi₄Te₆中のBiおよびTeサイトをそれぞれ種々の濃度のSbおよびSeで置換した固溶体CsM₄Q₆(M=Bi,Sb;Q=Te,Se)を合成した。合成した固溶体のキャラクタリゼーションをX線回折,エネルギー分散X線分析および走査型電子顕微鏡で行った。固溶体の結晶学的データを表にまとめた。また,合成した固溶体の熱電素子材料としての性質である電気伝導度,熱電能および熱伝導度の測定を行った。これらのデータに基づいて熱電性能指数の評価を行い,熱電素子材料として有望な固溶体の組成の最適化について議論した。

シソーラス用語： *テルル化物 ,  セシウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *置換型原子 ,  アンチモン ,  セレン ,  *固溶体 ,  化学合成 ,  化合物半導体 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  電気伝導率 ,  *熱起電力 ,  熱伝導率 ,  *最適化 ,  化学組成 ,  核間距離 ,  結合角 ,  *結晶構造
準シソーラス用語： 走査型電子顕微鏡 ,  電気伝導度

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： Sb ,  Se ,  置換