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J-GLOBAL ID：201202221853280538   整理番号：12A1507601

CVD法による自立したホウ素ドープのダイヤモンド結晶:縦型パワーエレクトロニクス素子の基板になり得るか?

Freestanding CVD boron doped diamond single crystals: A substrate for vertical power electronic devices?

著者 (7件)： ACHARD J. (Univ. Paris 13, Villetaneuse, FRA) ,  ISSAOUI R. (Univ. Paris 13, Villetaneuse, FRA) ,  TALLAIRE A. (Univ. Paris 13, Villetaneuse, FRA) ,  SILVA F. (Univ. Paris 13, Villetaneuse, FRA) ,  BARJON J. (Univ. de Versailles St-Quentin, Versailles, FRA) ,  JOMARD F. (Univ. de Versailles St-Quentin, Versailles, FRA) ,  GICQUEL A. (Univ. Paris 13, Villetaneuse, FRA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 9  ページ： 1651-1658  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンドは,高いブレークダウン電圧,優れたキャリア移動度およぼ熱伝導度から,パワーエレクトロニクス素子への応用が期待されている究極的な半導体である。これらの特性を活用するには,縦型配置の素子の作成が重要である。縦型配置を持つ素子の作成には,高濃度不純物を含む厚い基板が必要である。厚さが数百μmで,ドーピングレベルが10²⁰cm^-3以上の結晶をマイクロ波支援の化学蒸着で得るためには,最適なマイクロ波パワー密度があることが分かった。結晶のモルホロジーを三次元の幾何モデルによって予測し,ガス相に少量の酸素を混入すると,望まない結晶面の出現を有効に抑制し,結晶の完全性を保持できることが分かった。自立したホウ素ドープのダイヤモンドを合成し,二次イオン質量分析法(SIMS),Fourier変換赤外分光法(FTIR),Raman分光法,高分解能x線回折(HRXRD),および四端子測定法によって特性評価した。合成した結晶の持つ優れた品質は,0.26Ωcmという抵抗率の低さによって確認され,縦型パワーエレクトロニクス素子の開発に適していることが明らかになった。

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  縦型 ,  パワーエレクトロニクス ,  ドーピング ,  不純物濃度 ,  半導体 ,  半導体薄膜 ,  プラズマCVD ,  結晶形態 ,  二次イオン質量分析 ,  Fourier変換赤外分光分析 ,  Raman分光法 ,  X線回折 ,  電気抵抗率 ,  *結晶
準シソーラス用語： マイクロ波プラズマ化学蒸着 ,  縦型素子

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： CVD法 ,  自立 ,  ホウ素 ,  ドープ ,  ダイヤモンド結晶 ,  縦型 ,  パワーエレクトロニクス