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J-GLOBAL ID：201202221858207081   整理番号：12A1660509

選択領域エピタキシーによるGaN/InGaN量子ドット成長のフェーズフィールドシミュレーション

Phase-field simulations of GaN/InGaN quantum dot growth by selective area epitaxy

著者 (4件)： AAGESEN L.k. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, 2300 Hayward Street, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  LEE L.k. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., 1301 Beal Avenue, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  KU P.-c. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., 1301 Beal Avenue, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  THORNTON K. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, 2300 Hayward Street, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 361  ページ： 57-65  発行年： 2012年12月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドットの大きさと位置がリソグラフィパターンマスクによって決定するプロセスである選択領域エピタキシーによって成長した半導体量子ドットアレイは,その大きさと位置の両方において,高度な均一性を有することができる。しかし,成長初期段階における不均一性は,この方法によって成長したGaN/InGaNヘテロ構造のエネルギー状態の広がりを引き起こし,素子用途に向けての実用性を制限している。選択領域エピタキシーをシミュレーションするフェーズフィールドモデルを開発し,結晶配向に律速する堆積速度を説明した。InGaN活性層の均一性を最適化するために,モデルバラメータを変化させた。最も均一な活性層をもたらす条件には,低い総堆積速度,高い表面拡散,マスクからの吸着原子の低い堆積,並びに,マスク-気相-量子ドット界面での小さい接触角が挙げられる。均一性を改善する他の因子,つまり,最も速い成長方向と,マスク孔の側壁のより垂直な配向角で,(0001)基板上に成長させた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *量子ドット ,  エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *数学モデル ,  *計算機シミュレーション ,  ヘテロ接合 ,  配列 ,  配向 ,  *均一性 ,  結晶方位
準シソーラス用語： 選択領域エピタクシー ,  *窒化ガリウムインジウム ,  *フェーズフィールド法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシー ,  GaN ,  InGaN ,  量子ドット ,  成長 ,  フェーズフィールドシミュレーション