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J-GLOBAL ID:201202221884148611   整理番号:12A1099978

窒素をドープしたCu2O:中間バンド太陽電池のための可能性のある物質か?

Nitrogen doped Cu 2 O: A possible material for intermediate band solar cells?
著者 (7件):
資料名:
巻: 105  ページ: 192-195  発行年: 2012年10月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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窒素濃度1~2.5%の間でドープし,スパッタリングしたCu2O薄膜の光学的特性を分光光度定量により調べた。ドープしたすべてのサンプルはギャップ以下のエネルギーで,窒素濃度と良く相関する強度を持つ,2つの明確な吸収バンドを示す。この結果は,この種の機器の最適値である約2eVのバンドギャップを考慮すれば,Cu2Oが中間バンド太陽電池の開発のための有望な物質であることを示唆する。さらに,最高のドーピングを持つサンプルは,この半導体でこれまでに報告された最低値である,1.14Ωcmの抵抗率を示す。付加的な結果として,我々は,Cu2OマトリックスのCs+照射下での窒素と酸素原子の相対感度因子(RSF)の最初の推定を与える。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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