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J-GLOBAL ID：201202221973079119   整理番号：12A0956090

高性能アナログ金属-絶縁体-金属キャパシタ用Lu₂O₃誘電層の構造/電気特性化

Structural and Electrical Characterization of Lu₂O₃ Dielectric Layer for High Performance Analog Metal-Insulator-Metal Capacitors

著者 (4件)： MONDAL Somnath (Chang Gung Univ., TWN) ,  HER Jim-Long (Chang Gung Univ., TWN) ,  SHIH Shao-Ju (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  PAN Tung-Ming (Chang Gung Univ., TWN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 6  ページ： H589-H594  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,精密アナログ回路応用に向け非晶質高κ(誘電率)Lu₂O₃単層を用いMIM(金属-絶縁体-金属)キャパシタを生成し,Lu₂O₃伝導機構の検討に加え,アナログ/混合信号応用に向けLu₂O₃埋込みキャパシタの容量を評価した。アナログ/RF(無線周波数)応用のMIMキャパシタでは,TaN電極上へRFマグネトロンスパッタリングで蒸着させたLu₂O₃誘電膜の構造/電気特性を調べた。X線回折では,蒸着膜がバックエンド工程のサーマルバジェット(400°C)内で非晶質なままであることを認め,原子間力顕微鏡では,Lu₂O₃膜表面粗さの二乗平均平方根は400°Cアニーリング後に減っていた。Lu₂O₃誘電膜を使うMIMキャパシタは良好な電気特性(小さな漏れ電流,高いキャパシタンス密度など)を示した。電流伝導機構は低電場領域で,Schottky放出(電子)機構に因り支配され,漏れ特性の更なる改善は大きな仕事関数の電極や,障壁層支配の大きなバンドギャップ酸化物の利用により実現できる。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *MIM構造 ,  *コンデンサ ,  *酸化ルテチウム ,  *誘電材料 ,  非晶質 ,  静電容量 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  蒸着膜 ,  *構造特性 ,  表面粗さ ,  *電気特性 ,  電気伝導 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  焼なまし ,  漏れ電流 ,  仕事関数 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： バックエンド工程 ,  サーマルバジェット ,  *キャパシタ ,  *高誘電率材料 ,  アニーリング処理

分類 (4件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  アナログ ,  絶縁体 ,  キャパシタ ,  Lu2O3 ,  誘電層 ,  電気特性