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J-GLOBAL ID：201202222023993775   整理番号：12A0653500

InN/YSZ(100)の構造,表面モルフォロジー及び光学特性に対する成長温度及び堆積時間の影響

Influence of growth temperature and deposition duration on the structure, surface morphology and optical properties of InN/YSZ (100)

著者 (2件)： ZOITA N.c. (National Inst. of Res. and Dev. for Optoelectronics, Atomistilor 409, PO Box MG-5, Magurele, Ilfov, 077125 Romania) ,  GRIGORESCU C.e.a. (National Inst. of Res. and Dev. for Optoelectronics, Atomistilor 409, PO Box MG-5, Magurele, Ilfov, 077125 Romania)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 16  ページ： 6046-6051  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウルツ鉱型構造をもつInN膜をRFマグネトロンスパッタリングによりYSZ(100)基板上に直接成長させた。滑らかな表面(基板温度に依存して0.7~2.9nmの表面粗さ)をもつ強く(002)配向した膜が30分以内で成長した。60分間堆積した膜は表面に三次元(3D)ピラミッドアイランドを発展させ,これは残留弾性歪みを減少させた。1.7eV付近の光吸収端及びPLピークエネルギーは膜厚の増加及び基板温度の上昇によりレッドシフトすることが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  反応性スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  基板 ,  表面粗さ ,  *優先配向 ,  光吸収スペクトル ,  *光学ギャップ ,  ウルツ鉱型結晶 ,  格子定数 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： InN ,  YSZ ,  表面モルフォロジー ,  光学特性 ,  成長温度 ,  堆積