InSb上でのErSbの進化の反射吸収赤外分光分析

NORRIS Kate J.; NORRIS Kate J.; WONG Vernon K.; WONG Vernon K.; ONISHI Takehiro; LOHN Andrew J.; LOHN Andrew J.; COLEMAN Elane; TOMPA Gary S.; KOBAYASHI Nobuhiko P.; KOBAYASHI Nobuhiko P.

文献

J-GLOBAL ID：201202222061679235 整理番号：12A1095953

InSb上でのErSbの進化の反射吸収赤外分光分析

Reflection absorption infrared spectroscopy analysis of the evolution of ErSb on InSb

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著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 606 号： 19-20 ページ： 1556-1559 発行年： 2012年10月
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

低圧金属有機化学蒸着(MOCVD)により,InSb(100)基板上にエピタキシャル成長したインジウムアンチモン(InSb)層上に蒸着したエルビウムアンチモン(ErSb)の少量を測定するために,使用した微小角赤外線吸収に基づくex-situモニタリング技術を検討した。エピタキシャルInSb層の一番上の表面に関連する1754.5cm^-1でモードを広げているインジウム水素(InH)からの赤外線吸収を,ErSb表面被覆の種々のレベルと比較するために用いた。ErSb蒸着(7.2~21.5単層)の被覆率が異なる4つの試料の中で,ErSbの表面被覆率が増加するにつれて弱まるInHと異なる赤外線吸収ピークを検出した。ErSb蒸着の初期段階では,InSbのバッファ層の最外側のインジウム原子が,InHモードに関連する吸収の増加をもたらすErによって置換されることを,この研究は示唆する。この単純なex-situ手法を用いて,数~数十単層の蒸着に対して,個々のInSb基板上に蒸着するErSb量を調製することができることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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金属の表面構造 , その他の無機化合物の結晶成長

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