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J-GLOBAL ID：201202222225590567   整理番号：12A0778552

Zn_1-xMn_xO薄膜のラマン散乱と電気的性質

Raman scattering and electrical properties of Zn_1-x Mn _x O films

著者 (8件)： RUAN H.b. (Dep. of Applied Physics, Chongqing Univ., Chongqing 400044, CHN) ,  RUAN H.b. (Optical Engineering Key Lab, Chongqing Normal Univ., Chongqing 400030, CHN) ,  FANG L. (Dep. of Applied Physics, Chongqing Univ., Chongqing 400044, CHN) ,  QIN G.p. (Optical Engineering Key Lab, Chongqing Normal Univ., Chongqing 400030, CHN) ,  WU F. (Dep. of Applied Physics, Chongqing Univ., Chongqing 400044, CHN) ,  YANG T.y. (Optical Engineering Key Lab, Chongqing Normal Univ., Chongqing 400030, CHN) ,  LI W.j. (Optical Engineering Key Lab, Chongqing Normal Univ., Chongqing 400030, CHN) ,  KONG C.y. (Optical Engineering Key Lab, Chongqing Normal Univ., Chongqing 400030, CHN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 531  ページ： 77-81  発行年： 2012年08月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いろいろなMn含有量(0~6.72at.%)のMnをドーピングしたZnO薄膜を溶融石英基板に無線周波数(RF)マグネトロンスパッタリングで育成した。ZnO薄膜の,構造特性,ラマン散乱特性,電気的性質への,Mnドーピングの影響を調査した。得られた結果によると,Znサイトを占めるMnの導入によって,膜の格子定数は増加し,結晶の構造的な品質は悪化した。ZnOのホストの格子の,通常のphoneモードのほかに,Zn_1-xMn_xO薄膜のラマンスペクトルに,526cm^-1に位置する追加のモードが観察され,その強度は,Mn含有量の増加で,増加する傾向を示した。これは,ZnO:Mn系のZnO格子への,Mn導入を示すものと考えることができる。さらに,Mnドーピングの増加は,Zn_1-xMn_xO薄膜中の電子キャリヤおよび移動性の激しい抑制をもたらすことが判明した。対応するメカニズムについて詳細に議論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *マンガン化合物 ,  ドーピング ,  *半導体薄膜 ,  *Raman散乱 ,  基板 ,  石英ガラス ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  結晶構造 ,  *電気的性質 ,  格子定数 ,  品質 ,  電子 ,  キャリア ,  キャリア移動度 ,  抑制
準シソーラス用語： 溶融石英 ,  結晶品質 ,  電子移動度

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  ラマン散乱 ,  電気的性質