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J-GLOBAL ID：201202222227089474   整理番号：12A0723244

多重パルスプロトコルによる金属-マンガナイト酸化物界面の抵抗スイッチング性能の最適化

Optimization of resistive switching performance of metal-manganite oxide interfaces by a multipulse protocol

著者 (7件)： GHENZI N. (GIA,GAIANN-CAC-CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650) San Martin, ARG) ,  SANCHEZ M. J. (Centro Atomico Bariloche and Instituto Balseiro, CNEA, (8400) San Carlos de Bariloche, ARG) ,  ROZENBERG M. J. (Lab. de Physique des Solides, UMR8502 Univ. Paris-Sud, Orsay 91405, FRA) ,  STOLIAR P. (GIA,GAIANN-CAC-CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650) San Martin, ARG) ,  MARLASCA F. G. (GIA,GAIANN-CAC-CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650) San Martin, ARG) ,  RUBI D. (GIA,GAIANN-CAC-CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650) San Martin, ARG) ,  LEVY P. (GIA,GAIANN-CAC-CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650) San Martin, ARG)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 8  ページ： 084512-084512-5  発行年： 2012年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは不揮発性メモリデバイスのプロトタイプとしてLa_0.325Pr_0.300Ca_0.375MnO₃-Ti界面の種々の抵抗状態を室温で探索する。一パルスによる両極性パルシングによって到達可能な高い及び低い抵抗状態に加えて,単極性の反復パルシングによってより高い抵抗状態を得ることができる。時定数はパルス振幅の強い関数であり,連続パルシングの蓄積作用は抵抗を飽和に至らせる。実験は,パルス振幅とターゲットを高抵抗値に到達するに必要である印加パルスの数は,抵抗値と無関係に生じるレートをもつ指数的な関係にあることを示す。モデルシミュレーションはこれらの結果を確認し,実験で得られた高抵抗状態と関連した酸素空孔プロファイルを与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  ランタン化合物 ,  プラセオジム化合物 ,  カルシウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  *酸素酸塩 ,  *チタン ,  *界面 ,  時定数 ,  パルス ,  飽和 ,  シミュレーション ,  空格子点
準シソーラス用語： 亜マンガン酸塩 ,  酸素空孔 ,  *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 多重 ,  パルス ,  プロトコル ,  マンガナイト ,  酸化物 ,  界面 ,  スイッチング性能 ,  最適化