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J-GLOBAL ID：201202222372279788   整理番号：12A1066814

窒化ケイ素るつぼで鋳造した太陽電池用多結晶シリコンインゴットの化学的バルク特性

Chemical bulk properties of multicrystalline silicon ingots for solar cells cast in silicon nitride crucibles

著者 (4件)： MODANESE C. (NTNU-Department of Materials Sci. and Engineering, N-7491 Trondheim, NOR) ,  DI SABATINO M. (NTNU-Department of Materials Sci. and Engineering, N-7491 Trondheim, NOR) ,  SYVERTSEN M. (SINTEF Materials and Chemistry, N-7465 Trondheim, NOR) ,  ARNBERG L. (NTNU-Department of Materials Sci. and Engineering, N-7491 Trondheim, NOR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 354  号： 1  ページ： 27-33  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素は,mc-Siインゴットの方向性凝固用に広く利用されているシリカるつぼの代替材料であり,その主な利点は,連続鋳造の再利用性,並びに,インゴットの酸素汚染に対する汚染源の除去が可能であるためである。本研究では,これらのるつぼで数種類のインゴットを鋳造し,シリカるつぼで鋳造した参照インゴットと比較した。Si₃N₄るつぼの熱的特性は,SiO₂るつぼのそれとは異なり,融液中と鋳造中で異なる熱履歴をもたらした。インゴットの酸素汚染は,むしろ,るつぼ材料ではなくて,溶融温度と保持温度に主に依存するのが観測された。最も低い酸素濃度は,最も低い溶融温度のインゴットで観測した。しかし,Si₃N₄るつぼの熱的特性は,インゴットの高さ方向の酸素分布に影響を与え,インゴットの高さが増加するのに伴って,濃度がより速く減少した。これは,シリカるつぼの機構と比較して,異なる酸素輸送機構によるものと考えられる。インゴット中のドーパント濃度から,Si₃N₄るつぼからの汚染が,おそらく,Si融液へのB酸化物とP酸化物の拡散によって発生することが明らかになった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *ポリシリコン ,  *インゴット ,  *坩堝 ,  窒化ケイ素 ,  *一方向凝固 ,  温度依存性 ,  *汚染 ,  分布 ,  半導体
準シソーラス用語： 一方向性凝固 ,  酸素汚染 ,  酸素分布

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒化ケイ素 ,  るつぼ ,  鋳造 ,  太陽電池 ,  多結晶シリコン ,  インゴット ,  化学 ,  バルク