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J-GLOBAL ID:201202222506149762   整理番号:12A1236586

分子長さを調節した有機アゾ化合物による不揮発性三準位メモリ素子

Molecular length adjustment for organic azo-based nonvolatile ternary memory devices
著者 (9件):
資料名:
巻: 22  号: 32  ページ: 16582-16589  発行年: 2012年08月28日 
JST資料番号: W0204A  ISSN: 0959-9428  CODEN: JMACEP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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2,6-ビス(4-((4-(ジメチルアミノ)フェニル)ジアゼニル)-フェニル)-ピロロ[3,4-f]イソインドール-1,3,5,7-(2H,6H)-テトラオン(DPAPIT)および1-(4-((4-(ジメチルアミノ)フェニル)ジアゼニル)フェニル)-1H-ピロール-2,5-ジオン(DPAPPD)を合成した。ITO基板上に活性層を蒸着し,アルミニウム上部電極を積層してメモリ素子を作製した。走査電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,赤外スペクトル,紫外可視吸収スペクトルおよびサイクリックボルタンメトリーによりキャラクタリゼーションを行った。長い共役系をもつDPAPITは閾電圧-3Vで不揮発性メモリとして良好な特性を示し,電流比により0,1,2の三段階の記録状態を示した。高いアニーリング温度で膜は平滑となり,閾電圧が低下した。白金電極原子間力顕微鏡により超高密度記録が可能であることを確かめた。密度汎関数法によるフロンティア軌道計算とあわせて,分子骨格中の深さの異なる二種の電荷トラップにより結果を説明した。共役長が短いDPAPPDは記録動作を示さなかった。
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分類 (4件):
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芳香族単環ヒドロキシルアミン及びヒドラジンその他の芳香族単環多窒素直結化合物  ,  有機化合物の薄膜  ,  電子・磁気・光学記録  ,  分子の電子構造 
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