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J-GLOBAL ID：201202222513921837   整理番号：12A0569486

電子線蒸発積層元素層の急速熱処理によるCuInSe₂吸収体の形成

Formation of CuInSe₂ absorber by rapid thermal processing of electron-beam evaporated stacked elemental layers

著者 (4件)： LI Zhao-Hui (Kyungwon Univ., Dep. of Electronics Engineering, San 65, Bokjung-dong, Soojung-gu, 461-701, Seongnam, Kyunggi-do, KOR) ,  CHO Eou-Sik (Kyungwon Univ., Dep. of Electronics Engineering, San 65, Bokjung-dong, Soojung-gu, 461-701, Seongnam, Kyunggi-do, KOR) ,  KWON Sang Jik (Kyungwon Univ., Dep. of Electronics Engineering, San 65, Bokjung-dong, Soojung-gu, 461-701, Seongnam, Kyunggi-do, KOR) ,  DAGENAIS Mario (Univ. of Maryland, Electrical and Computer Engineering, 20742, Coll. Park, MD, USA)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 23  号： 4  ページ： 964-971  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黄銅鉱太陽電池用の吸収体層として,電子線蒸発Cu-In積層元素層の急速熱処理(RTP)を用いて,2セレン化銅インジウム(CuInSe₂)膜を作成した。Cu-In前駆物質の組成がCu/In金属層の厚さ比率を変えることにより制御され得るように,電子線蒸発法は各エレメント層の厚さを正確に制御できた。Cu/Inの厚さ比率が約1/2.5の時に,デバイス品質のCuが不足したCuInSe₂膜が得られた。その他の点では,温度が550°C以上の時に,RTPプロセス時間もRTPの最も重要なパラメータの1つとして証明された。580°C,3分の急速熱処理後,単相CuInSe₂を得るのに成功した。最後にRTPプロセスのCuInSe₂膜の成長機構をまとめた。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電子ビーム蒸着 ,  *RTA【熱処理】 ,  *セレン化インジウム銅 ,  *吸収体 ,  黄銅鉱 ,  *太陽電池 ,  前駆体 ,  化学組成 ,  厚み制御 ,  精密化 ,  膜厚 ,  *積層構造 ,  半導体薄膜 ,  表面構造 ,  X線回折 ,  銅 ,  インジウム ,  エネルギー分散蛍光X線分析

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子線蒸発 ,  元素 ,  急速熱処理 ,  吸収体