パルスレーザ誘起エピタクシーにより形成した珪素ゲルマニウム錫合金

STEFANOV S.; CONDE J. C.; BENEDETTI A.; SERRA C.; WERNER J.; OEHME M.; SCHULZE J.; BUCA D.; HOLLAENDER B.; MANTL S.; CHIUSSI S.

文献

J-GLOBAL ID：201202222567300030 整理番号：12A0776442

パルスレーザ誘起エピタクシーにより形成した珪素ゲルマニウム錫合金

Silicon germanium tin alloys formed by pulsed laser induced epitaxy

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資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 100 号： 20 ページ： 204102-204102-4 発行年： 2012年05月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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パルスレーザ誘起エピタクシーを用いてSi(001)基板上に傾斜組成ヘテロエピタキシャルGe_1-xSn_x及びSi_1-x-yGe_xSn_y合金を作製した。Ge_1-xSn_xからSi_1-x-yGe_xSn_yへの転移はSi,Ge,Snの混合レベルに従ってレーザパルス数を変えることで達成した。数値法で予測した溶融持続時間を「その場」反射率測定により実験で確認し,端面反射率値のように,混合レベルに関連付けた。珪素基板上のGe_1-xSn_x及びSi_1-x-yGe_xSn_y合金の格子調節のための仮想ゲルマニウムバッファ層上のSn膜のレーザ加工を通した濃度調節の可能性を実証した。(翻訳著者抄録)

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