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J-GLOBAL ID：201202222574859530   整理番号：12A0645416

水溶液からのCdSe薄膜の電着

Electrodeposition of CdSe Thin Films from Aqueous Solution

著者 (5件)： MAHALINGAM T. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  DHANASEKARAN V. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  RAJENDRAN S. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  RAVI G. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  EAPEN D. (UNAM, Morelos, MEX)
資料名： Journal of New Materials for Electrochemical Systems  (Journal of New Materials for Electrochemical Systems)
巻： 15  号： 1  ページ： 57-62  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1892A  ISSN： 1480-2422  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： カナダ (CAN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電着によって調製したCdSe薄膜のキャラクタリゼーションを行った。CdSe薄膜はCdSO₄/H₂SeO₃水溶液を電解液として75°CでITO基板上に電着させて調製した。キャラクタリゼーションはX線回折,走査型電子顕微鏡,光ルミネセンススペクトル,及び紫外スペクトルなどを使用して行った。電着の機構を説明した。CdSe薄膜は六方晶系の多結晶からなる。結晶子径,テクスチャ係数,結晶の微小歪,及び転位密度などの微細構造パラメータに対する析出電位の影響を調べた。CdSe薄膜は基板表面をよく被覆していた。光学バンドキャップは1.75eVである。CdSeの組成はほぼ量論比である。

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  *半導体薄膜 ,  電着 ,  キャラクタリゼーション ,  六方晶系 ,  結晶粒径 ,  歪 ,  転位密度 ,  構造パラメータ ,  微細構造 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 結晶子径 ,  微小歪

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水溶液 ,  CdSe ,  薄膜 ,  電着