文献

J-GLOBAL ID：201202222630460794   整理番号：12A0651893

垂直異方性の[Pd/Co]_m/Cu/[Co/Pd]_n疑似スピンバルブナノピラーにおけるスピントランスファースイッチング特性

Spin transfer switching characteristics in a [Pd/Co]_m/Cu/[Co/Pd]_n pseudo spin-valve nanopillar with perpendicular anisotropy

著者 (3件)： THIYAGARAJAH Naganivetha (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Biomagnetics Lab. (BML), National Univ. of Singapore, 117576, SGP) ,  LEE Kyoung-il (Nano Business Center, Nano-Bio Div., NURI Vista Co. Ltd., Incheon 406-840, KOR) ,  BAE Seongtae (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Biomagnetics Lab. (BML), National Univ. of Singapore, 117576, SGP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 07C910-07C910-3  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： われわれは100nm直径の[Pd/Co]_m/Cu/[Co/Pd]_n疑似スピンバルブナノピラーにおけるスピントランスファースイッチング(STS)を成功裏に実証している。われわれはほかの全垂直磁化疑似スピンバルブ構造に比べ我々のデバイスではより低い臨界電流密度とより高い巨大磁気抵抗(GMR)比を観測した。このデバイスは電流が膜面に垂直に流れるGMRで1.2%,また,STS臨界電流密度はJ^AP-P=-2.6×10⁷A/cm²およびJ^P-AP=3.8×10⁷A/cm²を示した。観測された低い臨界電流密度はより小さなスピン軌道散乱,薄いPdの長いスピン拡散長,そしてナノピラーデバイスのより薄い軟磁性層膜厚と保磁力から起こるより高いスピントランスファー効率によると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *垂直磁気異方性 ,  *素子構造 ,  ナノ構造 ,  柱 ,  *スイッチング ,  白金 ,  コバルト ,  多層膜 ,  銅 ,  臨界電流密度 ,  磁気抵抗 ,  保磁力 ,  磁性 ,  膜厚
準シソーラス用語： *スピンバルブ ,  ナノピラー ,  *スピントランスファースイッチング ,  巨大磁気抵抗 ,  軟磁性

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  異方性 ,  Pd ,  CO ,  Cu