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J-GLOBAL ID：201202222710095620   整理番号：12A0836057

GaN半導体結晶のアモノサーマル成長に関するモデリング

Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals

著者 (4件)： CHEN Qi-sheng (Inst. of Mechanics, Chinese Acad. of Sciences, 15 Bei Si Huan Xi Road, Beijing 100190, CHN) ,  YAN Jun-yi (Inst. of Mechanics, Chinese Acad. of Sciences, 15 Bei Si Huan Xi Road, Beijing 100190, CHN) ,  JIANG Yan-ni (Inst. of Mechanics, Chinese Acad. of Sciences, 15 Bei Si Huan Xi Road, Beijing 100190, CHN) ,  LI Wei (Inst. of Mechanics, Chinese Acad. of Sciences, 15 Bei Si Huan Xi Road, Beijing 100190, CHN)
資料名： Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials  (Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials)
巻： 58  号： 2-3  ページ： 61-73  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： H0655A  ISSN： 0960-8974  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモノサーマルシステムを,流体力学及び熱及び質量移動モデルを用いてモデル化した。得られた支配方程式を,有限体積法を用いて解いた。オートクレーブにおける流れパターン,熱及び質量移動に及ぼすバッフル設計の効果を分析した。GaN成長に関する制約は,10%のバッフル開口の場合,成長動力学及び種全表面積であることが分かった。内径4.44cm及び10cmのサイズの大きいアモノサーマル成長システムにおける輸送現象も研究した。アモノサーマル成長は,高価で時間のかかるものであるので,モデリングは,プロセスの研究及び最適化に有効である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *溶液成長 ,  *窒化ガリウム ,  *流体力学 ,  有限体積法 ,  オートクレーブ ,  *邪魔板 ,  表面積 ,  動力学 ,  化合物半導体 ,  *モデリング
準シソーラス用語： *アモノサーマル法 ,  質量移動 ,  熱移動

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  流体動力学一般  (BC02010G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  半導体結晶 ,  成長 ,  モデリング