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J-GLOBAL ID：201202222738907957   整理番号：12A1159262

多重積層フタロシアニナトテルビウム(III)錯体から構成された単分子磁石をベースにした分子スピントロニクス

Molecular Spintronics Based on Single-Molecule Magnets Composed of Multiple-Decker Phthalocyaninato Terbium(III) Complex

著者 (4件)： KATOH Keiichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ISSHIKI Hironari (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOMEDA Tadahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMASHITA Masahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Chemistry. Asian Journal  (Chemistry. Asian Journal)
巻： 7  号： 6  ページ： 1154-1169  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1856A  ISSN： 1861-4728  CODEN： CAAJBI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多核金属錯体及びナノサイズの磁石から構成されている単分子磁石(SMMs)がますます利用されることを考慮して,フタロシアニナトテルビウム(III)錯体分子スピントロニクスについて以下の項目に分類してレビューした。1)SMMsをベースにした単分子記憶装置,2)多重積層[Ln^IIIPc]をベースにした分子の構造,3)金表面に吸着させた多重積層[Ln^IIIPc]をベースにした分子の特性評価,4)STS分光法使用で検出した[TbPc₂]のKondo共鳴,5)[TbPc₂]におけるKondo共鳴の生成原因,6)分子スピントロニクス:分子構造操作によるスピン調節,7)ΘとKondoピーク間の関係,8)[TbPc₂]のHOMOとSOMOのエネルギーレベル交差部,9)[TbPc]-及び[DyPc]-ベースのSMM薄膜の電界効果トランジスタ特性。

シソーラス用語： *テルビウム錯体 ,  *スピントロニクス ,  Kondo効果 ,  磁気的性質 ,  分子 ,  研究 ,  テルビウム ,  記憶装置 ,  分子構造 ,  薄膜 ,  電場効果 ,  FET【トランジスタ】 ,  磁石 ,  多核錯体 ,  金 ,  HOMO ,  フロンティア軌道
準シソーラス用語： SOMO ,  フタロシアニナトテルビウム錯体 ,  単分子 ,  単分子研究 ,  *単分子磁石 ,  電界効果 ,  電界効果トランジスタ ,  *分子スピントロニクス

分類 (3件)： 第3族元素の錯体  (CE01060J) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多重積層 ,  錯体 ,  単分子磁石 ,  分子 ,  スピントロニクス