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J-GLOBAL ID:201202223003796066   整理番号:12A0549714

ペロブスカイトにおける抵抗スイッチング現象に及ぼす結晶学的異方性の効果

Effect of crystallographic anisotropy on the resistance switching phenomenon in perovskites
著者 (13件):
資料名:
巻: 111  号:ページ: 056106-056106-3  発行年: 2012年03月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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異なる結晶学的方位を持つエピタキシャルc軸配向YBa2Cu3O6+c(YBCO)薄膜に基づいた金属/ペロブスカイト接触での抵抗スイッチング効果について研究した。(i)c軸,(ii)ab面方向,(iii)両方に限定された接触を持つ3つのタイプのAg/YBCO接合を設計,製作し,それらの電流-電圧特性を測定した。タイプ(i)の接合は従来の双極性抵抗スイッチング挙動を示した。一方,他の2つのタイプにおいては低抵抗状態は非定常性で,それらの抵抗は初期の高抵抗状態に素早く弛緩した。そのような挙動を説明するため,酸素の拡散シナリオに基づく物理的メカニズムについて議論する。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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金属-絶縁体-金属構造  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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