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J-GLOBAL ID：201202223063459387   整理番号：12A0764165

GW手法によるモリブデンおよびタングステンジカルコゲナイドの電子バンド構造

Electronic Band Structures of Molybdenum and Tungsten Dichalcogenides by the GW Approach

著者 (1件)： JIANG Hong (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 14  ページ： 7664-7671  発行年： 2012年04月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の研究で,電子バンド構造に対する現在最も正確な第一原理手法であるGW近似によって4つの最も簡単な遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)材料であるジルコニウムおよびハフニウムジスルフィドおよびジセレニド(ZrS₂系統)の電子特性を研究し,GW予測と実験結果との間の非常に良い一致を見出した。原子価のd状態特性および伝導帯を考慮すると化学的により興味深く理論的により難題である,モリブデンおよびタングステンジスルフィドおよびジセレニド(MoS₂系統)の化合物へその研究を拡張した。すべてのこれらの材料の基本バンドギャップがGW手法によってうまく記述できることがわかった。またGW準-粒子バンドエネルギーおよび光電子放出分光データからの計算状態密度間で非常に良い一致が見いだされた。理論的な結果に基づき,もとの形でのこれらの材料は,その価電子帯最大(VBM)および伝導帯最小(CBM)エネルギーが水酸化および還元のレッドックスポテンシャルに適合しないため,水の包括的な光分裂に対する光触媒として使用されるには適切ではないと予測したが,しかしながら,これは,特にMoS₂に対しては,ナノ構造を形成することによって変えることができた。

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *タングステン化合物 ,  硫化物 ,  セレン化物 ,  ジルコニウム化合物 ,  ハフニウム化合物 ,  *バンド構造 ,  *近似法 ,  Green関数 ,  予測技法 ,  バンドギャップ ,  硫化モリブデン ,  ナノ構造 ,  *モリブデン化合物 ,  イオン化ポテンシャル
準シソーラス用語： *GW近似 ,  イオン化電圧 ,  *電子バンド構造

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 手法 ,  モリブデン ,  電子バンド構造