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J-GLOBAL ID：201202223158390120   整理番号：12A1436608

熱処理したP(VDF/TrFE)薄膜の赤外吸収スペクトルの外部電場効果

著者 (2件)： 高嶋健二 (早稲田大 大学院) ,  古川行夫 (早稲田大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.14A-C10-2  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 熱処理 ,  薄膜 ,  *赤外吸収スペクトル ,  電場 ,  強誘電体 ,  センサ ,  結晶性高分子 ,  *分子構造 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体
準シソーラス用語： *VDF-TrFE

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱処理 ,  VDF ,  薄膜 ,  赤外吸収スペクトル ,  電場効果