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J-GLOBAL ID：201202223198739673   整理番号：12A0269243

希釈硼素系BAlN合金に基づく紫外オプトエレクトロニック応用のための分布Bragg反射器

Distributed Bragg reflectors based on diluted boron-based BAlN alloys for deep ultraviolet optoelectronic applications

著者 (18件)： ABID M. (Georgia Inst. of Technology/GT-Lorraine-UMI 2958 Georgia Tech-CNRS, 2-3 rue Marconi, 57070 Metz, FRA) ,  MOUDAKIR T. (Georgia Inst. of Technology/GT-Lorraine-UMI 2958 Georgia Tech-CNRS, 2-3 rue Marconi, 57070 Metz, FRA) ,  ORSAL G. (Lab. Materiaux Optiques, Photonique et Systeme (LMOPS), EA 4423, Univ. Paul Verlaine et Supelec/UMI 2958 Georgia ...) ,  GAUTIER S. (Lab. Materiaux Optiques, Photonique et Systeme (LMOPS), EA 4423, Univ. Paul Verlaine et Supelec/UMI 2958 Georgia ...) ,  EN NACIRI A. (Lab. de Physique des Milieux Denses (LPMD), Univ. Paul Verlaine-Metz, 1 boulevard Arago, 57070 Metz, FRA) ,  DJEBBOUR Z. (Lab. de Genie Electrique de Paris (LGEP), UMR 8507 CNRS, Supelec, Univ. Paris-Sud 11, Univ. Pierre et Marie Curie ...) ,  RYOU J.-h. (Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol. ...) ,  PATRIARCHE G. (LPN CNRS, UPR, Route de Nozay, F-91460 Marcoussi, FRA) ,  LARGEAU L. (LPN CNRS, UPR, Route de Nozay, F-91460 Marcoussi, FRA) ,  KIM H. J. (Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol. ...) ,  LOCHNER Z. (Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol. ...) ,  PANTZAS K. (Georgia Inst. of Technology/GT-Lorraine-UMI 2958 Georgia Tech-CNRS, 2-3 rue Marconi, 57070 Metz, FRA) ,  ALAMARGUY D. (Lab. de Genie Electrique de Paris (LGEP), UMR 8507 CNRS, Supelec, Univ. Paris-Sud 11, Univ. Pierre et Marie Curie ...) ,  JOMARD F. (Lab. de Physique des solides et de Cristallogenese (LPSC), UMR 8635 CNRS, Univ. of Versailles-Saint-Quentin1, place ...) ,  DUPUIS R. D. (Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol. ...) ,  SALVESTRINI J.-p. (Lab. Materiaux Optiques, Photonique et Systeme (LMOPS), EA 4423, Univ. Paul Verlaine et Supelec/UMI 2958 Georgia ...) ,  VOSS P. L. (Georgia Inst. of Technology/GT-Lorraine-UMI 2958 Georgia Tech-CNRS, 2-3 rue Marconi, 57070 Metz, FRA) ,  OUGAZZADEN A. (Georgia Inst. of Technology/GT-Lorraine-UMI 2958 Georgia Tech-CNRS, 2-3 rue Marconi, 57070 Metz, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 5  ページ： 051101  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BAlN材料系に基づく高反射率の深紫外分布Bragg反射器(DBR)をAlNテンプレート本質的に有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させた。これらの構造は深紫外におけるBAlNの透明性と,280nmで>0.27であることが実証されている,BAlNとAlNの間の高い屈折率コントラストを利用する。18対のBAlN/AlN DBRは311nmで82%の実験ピーク反射率と20nmのストップバンド幅を示した。24対のBAlN/AlN DBR構造は282nmで実験ピーク反射率60%とストップバンド幅16nmを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム合金 ,  ホウ素含有合金 ,  窒素含有合金 ,  *反射器 ,  *オプトエレクトロニクス ,  MOCVD ,  紫外線 ,  反射率 ,  *帯域幅 ,  窒化アルミニウム ,  光学素子
準シソーラス用語： *ストップバンド ,  深紫外線 ,  *分布Bragg反射器

分類 (1件)： その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 希釈 ,  硼素 ,  合金 ,  応用 ,  分布Bragg反射器