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J-GLOBAL ID：201202223226212155   整理番号：12A0153200

接触金属の高温処理後の4H-SiC JBSとSchottkyダイオードの温度依存性

Temperature Dependence of 4H-SiC JBS and Schottky Diodes after High Temperature Treatment of Contact Metal

著者 (6件)： PEREZ R. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  MESTRES N. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  TOURNIER D. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  JORDA X. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  VELLVEHI M. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  GODIGNON P. (CSIC, Bellaterra, ESP)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 483/485  ページ： 945-948  発行年： 2005年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高温処理 ,  4H-SiC ,  Schottkyダイオード ,  温度依存性