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J-GLOBAL ID：201202223263885127   整理番号：12A0265931

レーザ分子ビームエピタクシーによる(111)GaAs基板上でのZnO層のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of ZnO layers on (111) GaAs substrates by laser molecular beam epitaxy

著者 (5件)： DING Jian ,  ZHANG Di ,  KONOMI Takaharu ,  SAITO Katsuhiko ,  GUO Qixin
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 7  ページ： 2663-2666  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200°Cと550°Cの間の基板温度でレーザ分子ビームエピタクシーにより(111)GaAs基板上にZnO層を成長させた。X線回折分析により,ウルツ鉱型構造のZnOエピ層のc軸は基板表面に垂直であることを明らかにした。X線ロッキングカーブとRaman分光法により,ZnOエピ層の結晶品質は成長中の基板温度に依存することを示した。どのような深準位発光もないUV領域の強い近バンド端発光が室温でZnOエピ層から観測された。結果は,レーザ分子ビームエピタクシーが(111)GaAs基板上に高品質のZnO層を得る有望な成長法であることを示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： MBE成長 ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  X線回折分析 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  結晶方位 ,  ロッキングカーブ ,  Ramanスペクトル ,  基板温度 ,  品質 ,  発光 ,  *光ルミネセンス ,  深い準位
準シソーラス用語： *レーザMBE成長 ,  酸化物半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  結晶品質 ,  バンド端発光

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ ,  分子ビームエピタクシー ,  GaAs基板 ,  ZnO ,  エピタキシャル成長