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J-GLOBAL ID：201202223272361653   整理番号：12A0858253

Ge(100)へのO₂の吸着:原子の配置とサイト選択的な電子構造

Adsorption of O₂ on Ge(100): Atomic Geometry and Site-Specific Electronic Structure

著者 (8件)： FLEISCHMANN Claudia (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  SCHOUTEDEN Koen (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  MERCKLING Clement (Imec, Leuven, BEL) ,  SIONCKE Sonja (Imec, Leuven, BEL) ,  MEURIS Marc (Imec, Leuven, BEL) ,  HAESENDONCK Chris Van (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  TEMST Kristiaan (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  VANTOMME Andre (KU Leuven, Leuven, BEL)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 18  ページ： 9925-9929  発行年： 2012年05月10日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge(100)-(2×1)表面への酸素の吸着とその際の表面状態密度の変化について,反射高エネルギー電子線回折(RHEED)と走査トンネル顕微鏡(STM)を使用して研究した。室温での酸素との接触の際には,Ge表面下層のbackbondへの酸素の挿入は起こりにくいことを見出した。酸素原子は主としてGe2量体サイトに吸着することによって2量体結合を切断し,その結果(1×1)面の再構築が誘起される。この酸化挙動は2量体結合が保持される酸化の初期段階とは対照的である。さらに,酸化過程の途中でGe吸着原子が生成する。このGe吸着原子と吸着サイトが,Fermi準位の位置,Fermi準位の周囲の局所的状態密度(LDOS)などの点で著しく異なることを実証した。特に,酸素の吸着の際に表面のバンドギャップが増加し,この現象が清浄な(2×1)面のGeダングリング結合状態の不活性化と関係があると推定した。この過程で高密度のGe吸着原子が形成されるために,表面は高度の化学的および電子的不均一性を示し,表面粗さが増加する。これらの知見は,Ge表面の不動態化のための酸化物超薄膜の形成のために有用である。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *酸素 ,  *吸着 ,  RHEED ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  表面準位 ,  状態密度 ,  二量体 ,  バンドギャップ ,  *電子構造

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  O2 ,  吸着 ,  原子 ,  サイト選択 ,  電子構造